Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合

  Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT 封装，不仅热性能可媲美普遍的使用的、热稳定性很高的TO-247插孔封装，还具有基于SMD的印刷电路板组装（PCBA）实现高效制造流程的额外优势。

  TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 强大的高性能 650 V 常闭型 d-mode 氮化镓平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN 平台的优势与 TOLT 封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。

  Transphorm正在与全球多个高功率GaN合作伙伴展开合作，包括服务器和存储电源领域的领先客户，能源/微逆变器领域的全球领导者，创新型离网电源解决方案制造商，以及卫星通信领域的领军企业。

  Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“TOLL 和 TOLT 这样的表面贴装器件具有降低内部电感，以及在制作的完整过程中更简单的板载安装等诸多优势。TOLT 通过采用顶部散热来提供更灵活的整体热管理，具有类似插孔式的散热性能。这一些器件通常用于中高功率系统应用，关键细分市场包括高性能计算（服务器、电信、人工智能电源）、可再次生产的能源和工业、以及电动汽车等。目前，其中一些市场应用已采用了Transphorm的氮化镓技术。我们很高兴能够通过TOLT SuperGaN 解决方案帮助客户实现额外的系统级优势。”

  继最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm发布该款TOLT FET新产品，进一步丰富了 Transphorm 的产品线，并彰显了Transphorm SuperGaN 平台采用不一样封装形式器件“镓”驭全功率以支持客户应用的市场承诺。

  该650 V SuperGaN TOLT 封装器件稳健可靠，已通过 JEDEC 标准认证。由于常闭型 d-mode 平台是将GaN HEMT与一个集成型低电压MOSFET结合，因此，SuperGaN FET 能够正常的使用常用的市售栅极驱动器驱动，应用于各种硬开关和软开关 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓扑中，提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。

  TP65H070G4RS SuperGaN TOLT 封装器件目前可提供样片。如需索取样品，请点击下方链接提交申请:

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