据悉，韩国科学技术院（KAIST）的研究人员创造了一种低功耗、低成本的相变存储器，为存储器技术设定了新的标准。

  研究小组开发出的这种新的存储设备，可以替代现有的存储设备，也能够适用于实现下一代人工智能硬件的神经形态计算，因为它具有低处理成本和超低功耗的优点。

  韩国科学技术院（KAIST）校长李光亨4日表示，他们开发出了能代替DRAM和NAND闪存的超低功耗的新一代相变存储器。

  相变存储器：一种存储装置，其方法是利用热量将材料的晶态改变为非晶态或晶态，从而改变其电阻状态，用以存储和/或处理信息。

  现有的相变存储器存在一些问题，例如制造高尺寸器件的制作的完整过程昂贵，并且需要大量的功率来运行。该研究组未解决这样一些问题，在没有昂贵的制作流程与工艺的情况下，通过电形成极小的纳米（nm）尺度的相变灯丝，开发出了超低功耗的相变存储器。这项新开发具有开创性的优势，不仅仅具备非常低的处理成本，而且还能够以超低功耗运行。

  DRAM是最常用的存储器之一，速度很快，但具有易失性，当电源关闭时数据就会消失。NAND闪存是一种存储设备，它的读写速度相对较慢，但它具有非易失性，即使在断电时也能保存数据。

  另一方面，相变存储器结合了DRAM和NAND闪存的优点，提供高速和非易失性特性。因此，相变记忆被认为是能代替现有记忆的下一代记忆体，并作为模仿人类大脑的记忆技术或神经形态计算技术正在积极研究。

  然而，传统的相变存储器件需要大量的功率来运行，这使得制造实用的大容量存储产品或实现神经形态计算系统变得困难。为了最大限度地提高存储器件的热效率，以前的研究工作大多分布在在利用最先进的光刻技术缩小器件的物理尺寸来降低功耗，但它们在实用性方面受到限制，因为功耗的改善程度很小，而制造成本和难度却随着每一次改进而增加。

  为了解决相变存储器的功耗问题，研究组开发了在极小的区域内用电形成相变材料的方法，成功实现了比用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器，功耗低15倍的超低功耗相变存储器。

  研发团队表示：“我们开发的相变存储器为解决存储器制作的完整过程中一直存在的问题提供了新方法，而且大幅度的提升了制造成本和能源效率，因此具备极其重大的意义。我们大家都希望我们的研究结果成为未来电子工程的基础，实现各种应用，包括高密度三维垂直存储器和神经形态计算系统，因为它开辟了从很多材料中选择的可能性。”